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Technical articles

當(dāng)前位置(zhì):首(shǒu)頁技(jì)術文(wén)章台(tái)式四(sì)探針(zhēn)電阻(zǔ)率測(cè)試(shì)儀 型(xíng)號:DP-2258C/

台式(shì)四探針電阻(zǔ)率測試(shì)儀 型號:DP-2258C/

更新(xīn)時間:2017-11-28點(diǎn)擊次數:2351

數字式四(sì)探針(zhēn)測(cè)試(shì)儀(yí)/台式(shì)四(sì)探(tàn)針(zhēn)電(diàn)阻率測(cè)試儀(yí) 型號(hào):DP-2258C

概述(shù)
DP-2258C型數字式(shì)四(sì)探針測(cè)試儀是(shì)運用(yòng)四(sì)探針(zhēn)測(cè)量(liáng)原理(lǐ)測(cè)試(shì)電(diàn)阻率/方阻(zǔ)的多用(yòng)途綜(zōng)合測量儀器(qì)。該儀(yí)器(qì)符合GB/T 1551-2009 《矽單(dān)晶電阻(zǔ)率(shuài)測定方法(fǎ)》,GB/T 1551-1995《矽,鍺(zhě)單(dān)晶電(diàn)阻率測(cè)定(dìng)直流(liú)兩(liǎng)探針法》,GB/T 1552-1995《矽,鍺單晶電(diàn)阻(zǔ)率(shuài)測定(dìng)直流四探針(zhēn)法》並參(cān)考美 A.S.T.M 標準。
儀(yí)器成套組成:由主機(jī),選(xuǎn)配的四(sì)探(tàn)針(zhēn)探頭(tóu),測試(shì)台(tái)等(děng)分(fēn)組(zǔ)成(chéng)。
主機主要(yào)由恒流源(yuán),分(fēn)辨率ADC,嵌(qiàn)入式(shì)單(dān)片機係(xì)統(tǒng)組(zǔ)成(chéng)。儀器(qì)所有(yǒu)參(cān)數設(shè)定(dìng),能(néng)轉(zhuǎn)換采用(yòng)數字(zì)化鍵(jiàn)盤輸入(rù);具有零(líng)位,滿度自校(xiào)能(néng);電(diàn)壓電流自動(dòng)轉(zhuǎn)換(huàn)量(liáng)程(chéng);測(cè)試結果(guǒ)由(yóu)數(shù)字表頭直接(jiē)顯(xiǎn)示。本測試(shì)儀(yí)特贈設測試(shì)結果分類能,zui大(dà)分類10類(lèi)。
探(tàn)頭選配:根(gēn)據不(bù)同(tóng)材料(liào)特性需要,探頭可有多款選(xuǎn)配。有耐(nài)磨碳(tàn)化(huà)鎢(wū)探針探頭,以測(cè)試矽(guī)類半(bàn)導體,金(jīn)屬,導(dǎo)電塑料(liào)類等硬(yìng)質材(cái)料的電阻(zǔ)率(shuài)/方阻(zǔ);也(yě)有形鍍(dù)金(jīn)銅合金探(tàn)針探(tàn)頭(tóu),可測柔性(xìng)材料導(dǎo)電薄膜(mó),金屬(shǔ)塗(tú)層(céng)或(huò)薄(báo)膜,陶(táo)瓷或玻(bō)璃等(děng)基(jī)底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納(nà)米塗(tú)層(céng)等半(bàn)導體材料(liào)的電(diàn)阻率/方阻(zǔ)。換(huàn)上四(sì)端子(zǐ)測試夾具(jù),還(huán)可對電阻(zǔ)器體電阻,金(jīn)屬導體的低,中(zhōng)值電阻(zǔ)以(yǐ)及開關類(lèi)接觸(chù)電阻行測量(liáng)。配(pèi)探頭(tóu),也可測試電(diàn)池片(piàn)等箔上(shàng)塗(tú)層(céng)電(diàn)阻(zǔ)率方阻。
測試台選配:般四探(tàn)針法(fǎ)測(cè)試電阻率(shuài)/方(fāng)阻(zǔ)配DP-T-ADP-T-BDP-T-CDP-T-F型測試(shì)台。二(èr)探針法(fǎ)測試電阻率(shuài)測試選DP-T-K型(xíng)測試台,也可(kě)選配(pèi)DP-T-D型測試台以測(cè)試半導體(tǐ)粉末電(diàn)阻(zǔ)率(shuài),選配(pèi)DP-T-G型測試(shì)台測試橡塑(sù)材料電阻率。詳見《四(sì)探(tàn)針儀(yí)器(qì),探(tàn)頭和測(cè)試(shì)台(tái)的特點與選型(xíng)參考》
儀器具有(yǒu)測(cè)量度(dù),靈敏度(dù),穩定性(xìng)好,化程度(dù),結構(gòu)緊湊,使(shǐ)用(yòng)簡(jiǎn)便等特(tè)點。
儀器(qì)適用於(yú)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)材(cái)料廠(chǎng)器件廠,科研(yán)單(dān)位,等院校對導體,半導體,類半導(dǎo)體材料(liào)的導電(diàn)性(xìng)能(néng)的測試(shì)。
三(sān),基(jī)本參數
1. 測(cè)量(liáng)範(fàn)圍,分(fēn)辨(biàn)率(括號內(nèi)為(wéi)可(kě)向(xiàng)下(xià)拓(tuò)展1個(gè)數量級(jí))
    阻:10.0×10-6  200.0×103  Ω,    分辨(biàn)率1.0×10-6  0.1×103  Ω
         1.0×10-6  20.00×103  Ω,    分(fēn)辨率0.1×10-6  0.01×103 Ω
電(diàn) 阻(zǔ) 率:10.0×10-6  200.0×103 Ω-cm   分(fēn)辨(biàn)率1.0×10-6  0.1×103  Ω-cm
         1.0×10-6  20.00×103 Ω-cm  分(fēn)辨率(shuài)0.1×10-6  0.01×103 Ω-cm
方(fāng)塊(kuài)電(diàn)阻(zǔ):50.0×10-6  900.0×103 Ω/□    分(fēn)辨率5.0×10-6  0.5×103  Ω/□ 
         5.0×10-6  100.0×103 Ω/□  分辨(biàn)率(shuài)0.5×10-6  0.1×103  Ω/□
2. 材料尺寸(cùn)(由選配(pèi)測試(shì)台和測(cè)試方式(shì)決定(dìng))
直(zhí)    徑(jìng): DP-T-A圓測試(shì)台直(zhí)接測(cè)試方(fāng)式 Φ15130mm,手(shǒu)持(chí)方式不限(xiàn)
DP-T-B/C/F方(fāng)測試台直接(jiē)測試方式(shì)180mm×180mm,手(shǒu)持方(fāng)式不限.
長(cháng)()度:  測(cè)試台(tái)直接(jiē)測(cè)試方(fāng)式 H≤100mm,    手(shǒu)持方(fāng)式(shì)不(bù)限.
測(cè)量方位:  軸向(xiàng),徑(jìng)向(xiàng)均(jūn)可

量(liáng)程(chéng)劃分及(jí)誤(wù)差(chà)等級(jí)

滿度顯示

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

2.000

200.0

20.00

2.000

常(cháng)規量(liáng)程

-cm/

-cm/

Ω-cm/□

-cm/

---

zui大拓展(zhǎn)量程(chéng)

---

-cm/

Ω-cm/□

-cm/

-cm/

基(jī)本(běn)誤差

±2%FSB

±4LSB

±1.5%FSB

±4LSB

±0.5%FSB±2LSB

±0.5%FSB

±4LSB

±1.0%FSB

±4LSB

作(zuò)電源:220V±10, f=50Hz±4,PW≤5W

5.外(wài)形(xíng)尺寸: 245mm(長)×220 mm(寬)×95mm()

淨(jìng)   重:≤1.52.0kg