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技術文章(zhāng)
電(diàn)化學作(zuò)站/腐蝕測量(liáng)儀 型號(hào):DP-CS150
更新(xīn)時(shí)間:2019-03-27
點擊次(cì)數:3188
電化學作(zuò)站/腐(fǔ)蝕(shí)測(cè)量(liáng)儀(yí) 型(xíng)號:DP-CS150
DP-CS電化學(xué)作站采(cǎi)用(yòng)浮(fú)地(dì)式(shì),具(jù)有(yǒu)出(chū)色的穩定性和(hé)度,的(dí)硬件和(hé)能善(shàn)的(dí)軟(ruǎn)件,為(wéi)涉及(jí)能源(yuán),材料,生命科學(xué),環(huán)保等(děng)域(yù)的(dí)科作(zuò)者提供了(liǎo)的(dí)科研平台(tái)。
具(jù)體應(yīng)用(yòng)於:
(1) 電(diàn)合(hé)成(chéng),電沉(chén)積(電鍍),陽(yáng)氧化,電(diàn)解(jiě)等反(fǎn)應機(jī)理(lǐ)研究;
(2)電(diàn)化學分(fēn)析研究(jiū);
(3)能(néng)源材料(liào)(鋰離(lí)子(zǐ)電池,太(tài)陽能電池,燃料動力電(diàn)池和電容器等),能材料(liào)以(yǐ)及(jí)傳(chuán)感器(qì)的(dí)性(xìng)能研究;
(4)金屬材料的腐蝕(shí)行為(wéi)研(yán)究(jiū)與耐蝕性評(píng)價(jià);
(5)緩蝕劑,水質(zhì)穩定(dìng)劑(jì),塗(tú)層(céng)以及陰保護效(xiào)率的(dí)快速(sù)評(píng)價。
硬件特(tè)點
● 雙(shuāng)通道(dào)相關(guān)分(fēn)析器(qì)和雙(shuāng)通道(dào)速16bit /度24bit AD轉換器
● 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻(pín)率範(fàn)圍(wéi) 10μHz ~1MHz
● 帶寬輸(shū)入阻抗(kàng)的放(fàng)大器
● 內置FPGA DDS信號(hào)合成(chéng)器
● 率恒電(diàn)位(wèi)儀/恒電(diàn)流儀(yí)/零電阻(zǔ)電流(liú)計(jì)
● 電(diàn)壓(yā)控製(zhì)範圍:±10V,槽(cáo)壓(yā)為(wéi)±21V(可(kě)擴(kuò)展至(zhì)±200V)
● 電流控製範圍(wéi):±2.0A(可(kě)擴展(zhǎn)至±5.0A)
● 電位分辨率(shuài):10μV,電流(liú)分辨率:10pA(可延(yán)伸至100fA)
軟件(jiàn)特點(diǎn)
① 數據分析(xī)
伏(fú)安(ān)曲(qū)綫(xiàn)的平滑(huá),積分和微分運算,計算各氧化(huà)還原峰(fēng)的峰,峰(fēng)麵(miàn)積和峰電(diàn)位(wèi)等;
化(huà)曲綫(xiàn)的(dí)三(sān)參數或(huò)四(sì)參數動(dòng)力(lì)學(xué)解(jiě)析,計(jì)算(suàn)Tafel斜率(shuài)ba,bc,腐(fǔ)蝕電(diàn)流(liú)密(mì)度(dù)icorr,限(xiàn)擴散電(diàn)流(liú),化電阻Rp和腐(fǔ)蝕速率(shuài)等,還可由(yóu)電(diàn)化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度,噪聲電(diàn)阻(zǔ)Rn和(hé)譜噪聲(shēng)電阻Rsn(f)。
② 實(shí)時存(cún)儲
實時(shí)存(cún)儲(chǔ)測(cè)量數據(jù),即使(shǐ)因斷(duàn)電導(dǎo)致(zhì)測(cè)試中(zhōng)斷,中(zhōng)斷(duàn)之前的數據(jù)也(yě)會(huì)自(zì)動(dòng)保存。
③ 定時測量
測試(shì)軟(ruǎn)件具(jù)有定時測量(liáng)能(néng), 對於某些需(xū)要研究(jiū)體係(xì)隨時間變(biàn)化特(tè)征時(shí),可提前(qián)設(shè)好測試參數(shù)與間隔時間(jiān),讓儀器在無人(rén)值守下(xià)自動定時(shí)測(cè)量(liáng),提實(shí)驗(yàn)效率。
恒(héng)電(diàn)位控製範圍:±10V | 恒(héng)電(diàn)流控製範(fàn)圍(wéi):±2.0A |
電位控製度:0.1%×滿(mǎn)量程讀(dú)數(shù)±1mV | 電流(liú)控(kòng)製度:0.1%×滿(mǎn)量程(chéng)讀(dú)數 |
電(diàn)位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) | 電流(liú)靈敏度(dù):<10pA |
電位(wèi)上(shàng)升(shēng)時間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) | 電流(liú)量程:2A~200nA, 共(gòng)8檔 |
參比(bǐ)電輸入阻(zǔ)抗:1012Ω||20pF | 大輸出(chū)電流:2.0A |
槽壓(yā)輸(shū)出:±21V | 電流掃描(miáo)增(zēng)量:1mA @1A/mS |
CV和LSV掃(sǎo)描速(sù)度:0.01mV~10000V/s | 電(diàn)位(wèi)掃描(miáo)電位(wèi)增量(liáng):0.076mV @1V/mS |
CA和(hé)CC脈(mài)衝寬度:0.0001~65000s | DPV和(hé)NPV脈衝寬度(dù):0.0001~1000s |
SWV頻(pín)率(shuài):0.001~100KHz | CV的小(xiǎo)電(diàn)位增量:0.075mV |
AD數(shù)據采集:16bit@1MHz,20bit @1kHz | 電流(liú)與電(diàn)位量程(chéng):自動(dòng)設置 |
DA分辨(biàn)率:16bit,建(jiàn)立時(shí)間:1μS | 低通(tōng)濾波(bō)器 :8段可編(biān)程(chéng) |
通(tōng)訊接(jiē)口(kǒu):USB2.0 | 儀器重量:6.5Kg |
外(wài)形(xíng)尺寸(cm):36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
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信號發(fā)生器 | |
頻率響(xiǎng)應(yīng):10μHz~115KHz | 交(jiāo)流(liú)信號幅(fú)值:1mV~2500mV |
頻(pín)率度:0.005% | 直流(liú)偏壓(yā):-10V~+10V |
DDS輸出阻抗:50Ω | 波形:正弦波(bō),三(sān)角(jiǎo)波(bō),方波(bō) |
正弦(xián)波失真率:<1% | 掃描方式:對(duì)數(shù)/綫(xiàn)性,增(zēng)加/下降(jiàng) |
信號分析器(qì) | |
大積(jī)分時間(jiān):106個(gè)循環(huán)或(huò)者105S | 測量時間延遲:0~105秒(miǎo) |
小積分時(shí)間(jiān):10mS 或(huò)者個(gè)循環的長時(shí)間(jiān) |
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直(zhí)流(liú)偏(piān)置(zhì)補償(cháng) | |
電位補償範圍:-10V~+10V | 電流(liú)補(bǔ)償(cháng)範圍(wéi):-1A~+1A |
帶(dài)寬(kuān)調整:自動或(huò)手動設(shè)置, 共8級可調 |
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能方(fāng)法(fǎ) | DP-CS120 | DP-CS150 | DP-CS300 | DP-CS310 | DP-CS350 | DP-CS360 | |
穩(wěn)態化 | 開(kāi)路電位測量(OCP) | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
恒電位(wèi)化(huà)(i-t曲(qū)綫) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
恒電流化 |
| ● | ● | ● | ● | ● | |
動(dòng)電位(wèi)掃(sǎo)描(miáo)(TAFEL曲(qū)綫) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
動(dòng)電(diàn)流掃(sǎo)描(DGP) |
| ● | ● | ● | ● | ● | |
暫(zàn)態(tài)化 | 意(yì)恒電(diàn)位階(jiē)梯波 | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
意恒電流(liú)階梯波 |
| ● | ● | ● | ● | ● | |
恒(héng)電位階躍(yuè)(VSTEP) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
恒電流階(jiē)躍(ISTEP) |
| ● | ● | ● | ● | ● | |
快速(sù)電(diàn)位脈衝(chōng) |
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| ● | |
快速電流(liú)脈衝(chōng) |
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計時分(fēn)析 | 計時電位(wèi)法(fǎ)(CP) |
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| ● | ● | ● | ● |
計(jì)時電流法(fǎ)(CA) |
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| ● | ● | ● | ● | |
計(jì)時(shí)電量(liáng)法(fǎ)(CC) |
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| ● | ● | ● | ● | |
伏(fú)安(ān)分析(xī) | 綫(xiàn)性掃描(miáo)伏安法(fǎ)(LSV) | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
綫(xiàn)性循(xún)環(huán)伏安法(CV) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
階(jiē)梯循環伏安(ān)法(fǎ)(SCV) |
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| ● |
| ● | ● | |
方(fāng)波伏安(ān)法(SWV) |
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| ● |
| ● | ● | |
差(chà)分(fēn)脈衝(chōng)伏安法(DPV) |
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| ● |
| ● | ● | |
常(cháng)規脈衝伏安法(fǎ)(NPV) |
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| ● |
| ● | ● | |
常規差分(fēn)脈衝(chōng)伏安(ān)法(fǎ)(DNPV) |
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| ● |
| ● | ● | |
交流(liú)伏安法(ACV) |
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| ● |
| ● | ● | |
二次諧(xié)波交流伏(fú)安(ān)(SHACV) |
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| ● |
| ● | ● | |
溶出(chū)伏(fú)安(ān) | 恒電位溶出伏安 |
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| ● |
| ● | ● |
綫性溶(róng)出伏(fú)安 |
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| ● |
| ● | ● | |
階(jiē)梯(tī)溶(róng)出伏(fú)安(ān) |
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| ● |
| ● | ● | |
方波溶(róng)出伏安 |
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交(jiāo)流阻抗 | 電化(huà)學阻(zǔ)抗(kàng)(EIS)~頻率掃描 |
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電化學阻抗(EIS)~時間(jiān)掃描(miáo) |
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| ● | ● | ● | |
電(diàn)化(huà)學(xué)阻抗(EIS)~電位掃(sǎo)描(miáo)(Mott-Schottky曲綫) |
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| ● | ● | ● | |
腐蝕(shí)測量(liáng) | 循環化(huà)曲(qū)綫(CPP) | ● | ● | ● | ● | ● | ● |
綫性(xìng)化曲綫(xiàn)(LPR) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
電化學噪(zào)聲(EN) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
電偶腐蝕測(cè)量(ZRA) | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
氫(qīng)擴散(sàn)測試(HDT)* | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
電(diàn)池測量 | 電(diàn)池(chí)充放(fàng)電測(cè)試(shì) |
| ● | ● | ● | ● | ● |
恒電流充放(fàng)電(diàn) |
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光電測量 | 電(diàn)致(zhì)調(tiáo)光測量(liáng) * |
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光譜儀(yí)測(cè)量 * |
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擴展測(cè)量(liáng) | 盤環電測(cè)試(shì) * |
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數(shù)字記錄儀 | ● | ● | ● | ● | ● | ● | |
波(bō)形發生(shēng)器 |
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圓盤(pán)電機(jī)控製 |
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| ● | ● | ● | ● | |
注: * 氫(qīng)擴(kuò)散及旋轉盤環(huán)電測試需(xū)配(pèi)置DP-CS1001A恒流源或采用DP-CS2350雙(shuāng)恒電位(wèi)儀。
* 光電測量能用戶(hù)選配。
* 產(chǎn)品(pǐn)3年質保(bǎo)。
儀器(qì)配(pèi)置(zhì):
1)儀器主(zhǔ)機1台(tái)
2)測試與(yǔ)分析(xī)軟件(jiàn)1套
3)電(diàn)解池(chí)(含(hán)鹽橋和(hé)排氣管(guǎn))1套(tào)
4)輔助(zhù),參(cān)比(bǐ),作電各1支(zhī)
5)模(mó)擬(nǐ)電(diàn)解池1個(gè)
6)電(diàn)源(yuán)綫/USB數據綫各1條(tiáo)
7)電電(diàn)纜(lǎn)綫1條
8)電架(jià)(選(xuǎn)配 *)
9)屏(píng)蔽(bì)箱(選配(pèi) *)
10)電(diàn)腦(nǎo)(選配 *)