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當前位置:首(shǒu)頁(yè)技術文章四(sì)探針金(jīn)屬/半導體電(diàn)阻(zǔ)率測(cè)量(liáng)儀(yí) 型(xíng)號:DP-SB100A/20A

四(sì)探(tàn)針金屬/半(bàn)導(dǎo)體電(diàn)阻(zǔ)率測(cè)量(liáng)儀(yí) 型(xíng)號(hào):DP-SB100A/20A

更(gēng)新時(shí)間(jiān):2019-06-14點擊次數:2156

四探針金屬/半導(dǎo)體(tǐ)電(diàn)阻(zǔ)率測(cè)量儀   型(xíng)號(hào):DP-SB100A/20A

DP-SB100A/20A是DP-SB100A/20的升(shēng)級(jí)版(bǎn),其為用戶提(tí)供了使用DP-SB100A/20行四(sì)探針測(cè)試及實驗的(dí)配套軟(ruǎn)件,可運行(háng)於PC機上,能兼(jiān)容(róng)運行在(zài)Winxp和Win7係(xì)統(tǒng)中,用(yòng)於自動(dòng)獲(huò)取實驗台的實驗(yàn)數據,並(bìng)根據條件生成曲綫(xiàn)和報表,輔助實驗人(rén)員(yuán)自動成(chéng)實(shí)驗(yàn),直觀(guān)的分(fēn)析數(shù)據,獲得實(shí)驗結論(lùn),保存實驗(yàn)數據。本產(chǎn)品(pǐn)的電阻(zǔ)測量範(fàn)圍可達(dá)10-6—106Ω。
該測量儀由DP-SB118/20型(xíng)電壓電流(liú)源(yuán),DP-PZ158A型直流數(shù)字電(diàn)壓(yā)表,DP-SB120/2四探(tàn)針樣品測試平台及(jí)1台(tái)電(diàn)腦(選(xuǎn)購),並(bìng)附有配套的軟(ruǎn)件係統等組成。產品(pǐn)的硬件詳(xiáng)情可(kě)參(cān)見(jiàn)DP-SB100A/20及(jí)相(xiāng)應(yīng)產(chǎn)品(pǐn)的介紹(shào) 。
該產(chǎn)品的軟件係(xì)統為用(yòng)戶(hù)提(tí)供參(cān)數(shù)設置(zhì),實(shí)驗(yàn)流程(chéng),實驗方式(shì),數據(jù)分(fēn)析(xī),曲綫報表(biǎo),並(bìng)在後台(tái)數(shù)據庫中行長期保存,實(shí)驗人(rén)員(yuán)可以查詢以前的何(hé)次實驗的結(jié)果,所(suǒ)有(yǒu)的曲綫和報(bào)表(biǎo)都可提(tí)供打印能(néng)。
DP-SB118/20型直(zhí)流電(diàn)壓電流(liú)源 (帶RS232C接口,詳(xiáng)見該產品使(shǐ)用說明(míng)書)
l  直(zhí)流(liú)電(diàn)壓源:輸出電(diàn)壓(yā)範(fàn)圍  0~50V  分(fēn)20mV,200mV,2V,20V,50V五(wǔ)檔,每(měi)檔(dàng)輸出(chū)電(diàn)壓可連(lián)續(xù)調節,分辨(biàn)力(lì)為1μV,基本誤差(chà)為(wéi)0.1%。
l  直流(liú)電流源(yuán):輸(shū)出電(diàn)流範圍  0~200mA  分20μA,200μA,2mA,20mA,200mA五(wǔ)檔(dàng),每檔輸出電流可(kě)連續(xù)調(tiáo)節(jié),分(fēn)辨(biàn)力(lì)為(wéi)1nA,基本誤差為(wéi)0.03%。
l  儀器(qì)後(hòu)麵板(bǎn)配有二個(gè)RS232C接口(kǒu),,個(gè)為DP-PZ158A/RS232C接(jiē)口連(lián)接至DP-PZ158A,另(lìng)個(gè)為(wéi)PC/RS232C接(jiē)口連接至PC機(jī)上,可利用(yòng)PC機(jī)上的(dí)“終(zhōng)端(duān)”獲得(dé)儀(yí)器的(dí)測量(liáng)數據(jù)。
DP-PZ158A型(xíng)數字電(diàn)壓(yā)表(詳見該(gāi)產品使(shǐ)用(yòng)說(shuō)明書(shū))
可測(cè)量0~1000V直流電壓(yā)  具(jù)有200mV,2V,20V,200V,1000V五檔(dàng)量(liáng)程(chéng),分(fēn)辨(biàn)力為0.1μV,基本誤(wù)差(chà)為(wéi)0.003%。
DP-SB120/2四(sì)探針樣(yàng)品(pǐn)平台(tái)(詳(xiáng)見(jiàn)該產(chǎn)品使(shǐ)用(yòng)說(shuō)明書)
為被測薄膜(mó)樣品,利用四探針(zhēn)測量(liáng)方式(shì)測(cè)量(liáng)導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣(yàng)品的電阻和電阻率,提供了(liǎo)方便。