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電阻率(shuài)/方(fāng)塊(kuài)電(diàn)阻測(cè)試(shì)儀(yí)性能 型號:DP-DB1

更(gēng)新時間:2021-01-27點擊次數(shù):2216

電阻率(shuài)/方塊電(diàn)阻測(cè)試儀(yí)  型(xíng)號:DP-DB1

DP-DB1本方阻(zǔ)測試(shì)新(xīn)產品(pǐn)為(wéi)薄膜測(cè)試提供機(jī)械,電氣(qì)兩方(fāng)麵的保護(hù),在寬廣的量程範(fàn)圍(wéi)內,使(shǐ)各(gè)種(zhǒng)電(diàn)子(zǐ)薄(báo)膜(mó)能(néng)得(dé)到(dào)準確,無(wú)損(sǔn)的方(fāng)塊電阻(zǔ)測(cè)量(liáng)結(jié)果(guǒ)。

DP-DB1由於新(xīn)型(xíng)薄膜材(cái)料(liào)種類繁(fán)多,研製過程中樣品(pǐn)性(xìng)能(néng)變化較(jiào)大(dà),而(ér)且各(gè)種(zhǒng)薄膜的機械強(qiáng)度(dù),允(yǔn)許承受的(dí)電壓(yā),電流均不(bù)相(xiāng)同(tóng),因(yīn)此(cǐ)DP-DB1型(xíng)測(cè)試(shì)儀可(kě)為(wéi)用(yòng)戶(hù)量(liáng)身(shēn)定製(zhì)各種(zhǒng)特定探(tàn)針壓(yā)力及(jí)曲(qū)率半徑的探針(zhēn)頭,儀(yí)器(qì)的(dí)測試(shì)電流(liú)分7檔,可(kě)由0.4μA增加(jiā)到(dào)大為1000mA,測試電(diàn)壓(yā)可(kě)由8V增加(jiā)到80V,測試電壓和測試電流均可(kě)連(lián)續(xù)調節,給薄(báo)膜,塗層的研製(zhì)者提供了(liǎo)個測(cè)試條件(jiàn)的(dí)寬闊空(kōng)間。

由(yóu)於儀(yí)器設有(yǒu)恒流(liú)源開(kāi)關,並且所有電流檔(dàng)在探針(zhēn)與樣品接(jiē)觸(chù)後(hòu)均(jūn)有電流延時(shí)接(jiē)通(tōng)的(dí)能(néng),充分(fēn)保護(hù)了樣(yàng)品表(biǎo)麵(miàn)不會因為探針接觸時(shí)產生(shēng)的(dí)電(diàn)火(huǒ)花而受到損(sǔn)壞。

DP-DB1儀(yí)器性能(néng)

方(fāng)阻測量(liáng)範(fàn)圍(wéi):1×10-5~2×106Ω/□,小分辨率1×10-5Ω/□;

電(diàn)阻率(shuài)測量(liáng)範圍(wéi):1×10-6~2×105Ω·cm或1×10-8~2×103Ω·m,小分(fēn)辨(biàn)率1×10-6Ω·cm或(huò)1×10-8Ω·m;

探針(zhēn)壓(yā)力(lì):25g~250g;

探針(zhēn)曲(qū)率半(bàn)徑(jìng):25μm~450μm

(注(zhù):探針壓(yā)力及曲率半(bàn)徑可(kě)根(gēn)據薄膜材料性能及(jí)用(yòng)戶需求定(dìng)製);

測試(shì)電流(liú)分7檔(dàng):1μA,10μA,100μA,1mA,10 mA,100 mA,1000 mA;

測試(shì)電(diàn)壓(yā):(1μA~10 mA檔)12~80V連續可(kě)調(tiáo)

           (100mA檔(dàng))    8~36V連續(xù)可(kě)調

          (1000mA檔(dàng))    8~15V連續可調(tiáo);

測量方(fāng)式:手(shǒu)動(dòng)或自動(配置(zhì)測(cè)試(shì)軟(ruǎn)件);

測量對(duì)象(xiàng):導電薄膜,半導體薄(báo)膜,電(diàn)力(lì)電(diàn)容(róng)器鋁(lǚ)箔(bó),各種金(jīn)屬(shǔ)箔,銀(yín)漿塗(tú)層,鋰電池(chí)隔膜等(děng)各種(zhǒng)新型電子薄膜(mó);各種半(bàn)導體材(cái)料的電阻率(shuài)。