半(bàn)導(dǎo)體導電(diàn)型號(hào)鑒(jiàn)別儀(yí) 型(xíng)號：DP-STZ-8

DP-STZ-8型半導體(tǐ)導電(diàn)型(xíng)號(hào)鑒(jiàn)別儀(yí)是為了(liǎo)鑒別矽(guī)單晶(jīng)材料(liào)的導電類型(xíng) “P”和 “N”的測量儀器,是采用溫差效應和整(zhěng)流(liú)效應兩種方(fāng)法相(xiāng)結合(hé)綜合性的(dí)測(cè)量導電(diàn)型號儀器,測量(liáng)範圍廣(guǎng)矽(guī)材(cái)料(liào)電(diàn)阻(zǔ)率從10-4~103Ω•cm,儀器(qì)采用靈(líng)敏(mǐn)度放大電路和判別(bié)電路，將材(cái)料上的微(wēi)弱(ruò)信號放大，並用 “P” “N”數碼直接顯示(shì)，儀器采(cǎi)用手持式(shì)四(sì)探然(rán)探頭，使用(yòng)簡(jiǎn)單(dān)，操作方便，且壽命長，適合半(bàn)導體材料廠，器(qì)件(jiàn)廠(chǎng)和(hé)科研需(xū)要。

用作太陽能(néng)多晶(jīng)材料分(fēn)選時,采(cǎi)用(yòng)整流法(fǎ),對<0.1Ω-cm的材(cái)料(liào)具有(yǒu)聲(shēng)光(guāng)報(bào)警能,廣泛(fàn)應(yīng)用於太陽能電池的(dí)原(yuán)材料(liào)篩選環節(jié),快速。

主要標(biāo)：

1．  測(cè)量(liáng)範圍(wéi)：矽(guī)單晶(jīng)材(cái)料電阻(zǔ)率(shuài)10-4~103Ω•cm

   溫差法：10-4~10Ω•cm

   整(zhěng)流(liú)法(fǎ)：10~103Ω•cm，並對(duì)<0.1Ω•cm的材料具有聲(shēng)光報警(jǐng)能(néng)。

2．  可測量材料：半導(dǎo)體矽(guī)棒(bàng)和矽片(piàn)，及矽(guī)碎顆(kē)粒。

    可測(cè)半導(dǎo)體(tǐ)材(cái)料(liào)尺(chǐ)寸(cùn)：Φ15~Φ150 mm以(yǐ)上(shàng)。

3．  顯(xiǎn)示(shì)方式：P，N 燈顯(xiǎn)示。

4．  測試(shì)探頭(tóu)：手持式(shì) 探針間距3 mm         探針Φ1mm 速(sù)鋼(gāng)

5．  電源：220V 50HZ 20W

6．    儀(yí)器尺寸：100×260×260