半導體導(dǎo)電型(xíng)號(hào)鑒(jiàn)別儀 型號：DP-STZ-8

DP-STZ-8型半(bàn)導(dǎo)體導電型(xíng)號鑒別儀(yí)是為了鑒別矽(guī)單晶(jīng)材料的導電類型(xíng) “P”和(hé) “N”的測(cè)量(liáng)儀(yí)器,是(shì)采用溫(wēn)差(chà)效應(yīng)和整(zhěng)流效(xiào)應兩(liǎng)種(zhǒng)方法(fǎ)相結(jié)合(hé)綜(zōng)合(hé)性(xìng)的測量導(dǎo)電(diàn)型號(hào)儀器(qì),測量(liáng)範圍廣矽(guī)材料(liào)電阻(zǔ)率從(cóng)10-4~103Ω•cm,儀器采用(yòng)靈敏度放大電(diàn)路和判別(bié)電(diàn)路，將材(cái)料(liào)上(shàng)的(dí)微弱信(xìn)號放(fàng)大(dà)，並用(yòng) “P” “N”數(shù)碼直(zhí)接(jiē)顯示，儀器采用(yòng)手(shǒu)持(chí)式四(sì)探然探(tàn)頭，使用簡(jiǎn)單，操作方(fāng)便，且(qiě)壽命長，適(shì)合半(bàn)導體(tǐ)材料廠，器(qì)件廠(chǎng)和科(kē)研需(xū)要(yào)。

用(yòng)作(zuò)太陽(yáng)能多(duō)晶材料分選時(shí),采用(yòng)整(zhěng)流法(fǎ),對<0.1Ω-cm的(dí)材料(liào)具(jù)有聲光報(bào)警能,廣(guǎng)泛應用(yòng)於太(tài)陽能電(diàn)池的原(yuán)材料(liào)篩選環節(jié),快速。

主(zhǔ)要(yào)標：

1．  測量範圍(wéi)：矽單(dān)晶材料電(diàn)阻(zǔ)率10-4~103Ω•cm

   溫差(chà)法：10-4~10Ω•cm

   整流法(fǎ)：10~103Ω•cm，並(bìng)對(duì)<0.1Ω•cm的材料具(jù)有聲(shēng)光報(bào)警能(néng)。

2．  可(kě)測(cè)量材(cái)料：半(bàn)導體(tǐ)矽棒和(hé)矽片，及矽碎(suì)顆(kē)粒。

    可(kě)測(cè)半導體材料尺(chǐ)寸：Φ15~Φ150 mm以(yǐ)上(shàng)。

3．  顯示方式：P，N 燈顯示。

4．  測試探頭(tóu)：手持式 探針間(jiān)距3 mm         探針Φ1mm 速(sù)鋼

5．  電源：220V 50HZ 20W

6．    儀(yí)器尺寸：100×260×260