DP-STY-1型導電(diàn)型(xíng)號測試(shì)儀(yí)是嚴(yán)格按(àn)照ASTM F42（非本征(zhēng)半導體材(cái)料導電(diàn)類型的標準(zhǔn)測試方法）中(zhōng)的(dí)熱探(tàn)針法的導電類型鑒別(bié)儀(yí)。

本儀器熱探筆(bǐ)內(nèi)裝有加(jiā)熱和控(kòng)溫(wēn)組(zǔ)件(jiàn)，自(zì)動加(jiā)熱並使(shǐ)溫度維(wéi)持在40-60℃範圍內，冷熱探筆(bǐ)在半導體(tǐ)材料(liào)上(shàng)產生的熱電(diàn)動勢(shì)，經(jīng)低噪(zào)聲(shēng)，低漂(piāo)移的集成運(yùn)算放大器放(fàng)大後(hòu)，用寬表麵檢流(liú)計(jì)示(shì)型號(hào)方(fāng)向，並可定(dìng)量測出熱電流(liú)的數值(zhí)大(dà)小。儀器靈敏度可調(tiáo)，可(kě)在廣泛的(dí)電阻率（從1000Ω·cm阻單晶到10^-4Ω·cm重(zhòng)摻(chān)單晶(jīng)）範圍(wéi)內判別半導體(tǐ)材(cái)料(liào)型號。

二，性(xìng)能

1，可判(pàn)別(bié)鍺，矽材料(liào)的電阻率(shuài)範圍：

   鍺：非(fēi)本征(zhēng)鍺～10^-4Ω·cm

   矽：10⁴～10^-4Ω·cm

   實(shí)驗(yàn)證(zhèng)明：在(zài)室溫(wēn)情況(kuàng)下，對於電阻率(shuài)低於1000Ω·cm的N型(xíng)和(hé)P型(xíng)矽，本方法結果可(kě)靠。

2，熱(rè)電流(liú)測(cè)量範圍：0～±1μA   分(fēn)六(liù)個(gè)量程：

±3nA，±10nA，±30nA，±100nA，±300nA，±1μA

zui大偏(piān)轉靈(líng)敏度(dù)：1×10^-11A/格

3，鍺(zhě)，矽(guī)單(dān)晶直徑(jìng)及(jí)長(cháng)度(dù)：不受限(xiàn)製(zhì)。

4，顯(xiǎn)示方式：中心(xīn)刻度為(wéi)零位的寬表麵針示器，針向(xiàng)正(zhèng)方(fāng)向(xiàng)偏轉(zhuǎn)被測(cè)樣品為(wéi)P型，針向負方(fāng)向(xiàng)偏(piān)轉被測樣(yàng)品(pǐn)為N型。

5，探(tàn)針(zhēn)：選(xuǎn)用ASTM F42標(biāo)準(zhǔn)中建(jiàn)議的(dí)不(bù)鏽(xiù)鋼作(zuò)探(tàn)針(zhēn)材料(liào)，針(zhēn)尖為(wéi)60°錐(zhuī)體，熱(rè)筆溫(wēn)度(dù)自動保(bǎo)持在40-60℃範圍內。冷筆(bǐ)與(yǔ)室(shì)溫相(xiāng)同。

6，電(diàn)源及耗(hào)：AC 220V±10%，50HZ交流供(gōng)電，耗(hào)電小(xiǎo)於(yú)10W。

7，外型(xíng)尺寸：170×160×230（mm）

8，重(zhòng)量：約2.5kg