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陰(yīn)保護監測儀(yí) 型(xíng)號(hào):DP-600 特點
更新時(shí)間:2017-03-13
點(diǎn)擊(jī)次(cì)數(shù):616
陰(yīn)保護監測儀 型(xíng)號(hào):DP-600
DP-600陰保護監測(cè)儀可(kě)跟(gēn)蹤監(jiān)測4路管地保護電(diàn)位(wèi)以(yǐ)及4台保(bǎo)護電(diàn)源(yuán)的輸出電流/輸出(chū)電(diàn)壓(yā)值,用(yòng)於(yú)對陰保(bǎo)護電源(或犧牲陽(yáng))的(dí)運行狀態(tài)行(háng)實時(shí)監(jiān)控。
儀器內(nèi)置(zhì)1~32Mbytes Flash非遺失數(shù)據(jù)存(cún)儲(chǔ)器(qì),能存儲(chǔ)1~3年(nián)的(dí)測(cè)量(liáng)數(shù)據(jù),內(nèi)的度(dù)實時日歷時鐘提供監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的(dí)日歷標誌(zhì),方便數據(jù)回放。監測(cè)器采(cǎi)用小尺寸密閉式機(jī)箱,可直(zhí)接安裝(zhuāng)於現(xiàn)有陰(yīn)保(bǎo)護測試(shì)樁內。
儀(yí)器作(zuò)原(yuán)理
儀器(qì)由CMOS和(hé)BiFET®集成電(diàn)路(lù)組成,包括低(dī)耗MCU芯片,多路切換器,儀表放大器(qì)以及24bit AD轉換(huàn)器,大(dà)容量Flash存儲器(qì)。在MCU控製下對各路信號(hào)行(háng)采集(jí),存儲(chǔ)和(hé)傳(chuán)送(sòng),內(nèi)置(zhì)數字(zì)IO端口(kǒu),可(kě)用(yòng)作保護(hù)電源斷(duàn)電流(liú)測量(liáng)真(zhēn)實保護電(diàn)位(wèi)的同步信號。
儀(yí)器采用(yòng)的電(diàn)源(yuán)管(guǎn)理模塊(kuài),能(néng)夠在非(fēi)測量(liáng)期間關閉(bì)電源,並在(zài)時(shí)鐘(zhōng)或外信號(hào)喚(huàn)醒時入(rù)作(zuò)狀態,延(yán)長電(diàn)池使(shǐ)用(yòng)時間。采(cǎi)用(yòng)大容(róng)量(liáng)鋰(lǐ)電池(chí),可以實現連續(xù)作(zuò)1年不用換(huàn)電池(chí)。也(yě)可以(yǐ)采用(yòng)太陽(yáng)能電池(chí)供電,方便(biàn)無人值守。
主(zhǔ)要標(biāo)
| 測量通(tōng)道:8個(gè) | 輸(shū)入(rù)阻(zǔ)抗(kàng):1×1010 Ω||20pF |
| zui大測(cè)量(liáng)電(diàn)位範圍(wéi):±5V | 數據采集速(sù)率:0.01~1000Hz |
| 數(shù)據分辨率(shuài):16bit | 電位(wèi)分辨(biàn)率(shuài):0.1mV |
| 放大(dà)器偏(piān)置電(diàn)流:10pA | 實時(shí)鐘誤差(chà):±1分鐘/年(自帶電池) |
| 數(shù)據存儲(chǔ)器:1M,可保(bǎo)存1年(nián)數據 | 通訊協議(yì):RS485;波(bō)特率(shuài):9600bps |
| 電源(yuán):單節鋰電池 | 電池作時(shí)間:>1000小(xiǎo)時 |
| 儀(yí)器(qì)體積:29.5cm(寬(kuān))×16.5cm(深)×20cm() | 儀器重量(liáng):3.6Kg |
| 作(zuò)環境條件:溫(wēn)度 -20℃~50℃,相(xiāng)對濕度80%以(yǐ)下 | |
應用(yòng)域
1) 陰(yīn)保護電子(zǐ)測試(shì)樁(zhuāng);
2) 陰(yīn)保(bǎo)護電源(犧(xī)牲陽(yáng))的輸出(chū)電壓(yā),輸(shū)出電流和保護電(diàn)位(wèi)的監測(cè)。
儀器(qì)配(pèi)置
1) DP-600測量(liáng)主(zhǔ)機(jī) 1台(tái)
2) CPMonitor數據采(cǎi)集(jí)軟件(jiàn)1套
3) *選配DP610無綫(xiàn)數(shù)據收(shōu)發器,組成分(fēn)布(bù)式無綫陰(yīn)保(bǎo)護(hù)監測係統(tǒng)。(詳見《分(fēn)布(bù)式遠(yuǎn)程腐蝕監(jiān)測(cè)解決(jué)方(fāng)案》)