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技術文章(zhāng)
低阻(zǔ)型四探(tàn)針(zhēn)檢(jiǎn)測(cè)儀/方(fāng)阻(zǔ)儀(yí)/四(sì)探針(zhēn)電阻率(shuài)檢(jiǎn)測儀(yí)
更(gēng)新(xīn)時(shí)間:2013-12-21
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低阻(zǔ)型四(sì)探針(zhēn)檢(jiǎn)測儀/方阻儀(yí)/四(sì)探(tàn)針電阻(zǔ)率檢測儀(yí) 型(xíng)號;DP-KDY-1
儀(yí)器(qì)采用(yòng)GB/T 1552-1995矽,鍺單(dān)晶電(diàn)阻率(shuài)測(cè)定直排(pái)四探針法
(2)範(fàn)圍:電(diàn)阻(zǔ)率10-5~10+3歐(ōu)姆(mǔ)·厘米,分(fēn)辨(biàn)率為(wéi)10-5歐姆·厘(lí)米
方(fāng)塊(kuài)電阻10-4~10+4歐姆/□,zui小(xiǎo)分辨(biàn)率(shuài)為(wéi)10-4歐姆(mǔ)/□
(3)可測量材料(liào):半(bàn)導體(tǐ)材料(liào)矽鍺棒(bàng),塊,片,導(dǎo)電(diàn)薄(báo)膜(mó)等(děng)
可準(zhǔn)確測量(liáng)的(dí)半導體(tǐ)尺(chǐ)寸(cùn):直徑≥20㎜
可(kě)測量(liáng)的(dí)半導(dǎo)體(tǐ)尺寸:直徑≥8㎜
(4)測量方式:平(píng)麵測(cè)量。
(5)電壓(yā)表(biǎo):雙數(shù)字(zì)電(diàn)壓(yā)表,可(kě)同(tóng)時(shí)觀察(chá)電流,電(diàn)壓變化
A.量程0~19.999 mV
B.基(jī)本誤差±(0.004%讀(dú)數+0.01%滿(mǎn)度(dù))
C.靈敏度(dù):1uV
D輸入阻抗﹥1000MΩ
E 4 1/2位數字顯(xiǎn)示,0~19999
(6)恒(héng)流源:
A.電流輸(shū)出:直(zhí)流(liú)電(diàn)流0.003~100 mA連續可調(tiáo),有交流電(diàn)源供給(gěi)
B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五檔
C.恒(héng)流(liú)源度:各檔均(jūn)≤±0.05%
(7)四(sì)探針(zhēn)測(cè)試探頭
A.探頭(tóu)間距1.59㎜
B.探針機(jī)械(xiè)遊率:±0.3%
C.探針(zhēn)直(zhí)徑0.8㎜
D.探針材(cái)料:碳化(huà)鎢,探針(zhēn)間及(jí)探針與其他分之間(jiān)的緣(yuán)電阻大於(yú)109歐(ōu)姆(mǔ)。
(8)測試(shì)架(jià):(選(xuǎn)配(pèi))
手動測(cè)試(shì)架(jià):KDJ-1A 型(xíng)手動測(cè)試(shì)架探頭上下(xià)由(yóu)手動(dòng)操作,可以(yǐ)用(yòng)作(zuò)斷麵單晶(jīng)棒(bàng)和(hé)矽(guī)片測(cè)試(shì),探(tàn)針頭可上(shàng)下移動距(jù)離(lí):120mm,測試(shì)台麵(miàn)200x200(mm)。
(9)度
電(diàn)器(qì)度(dù):1-1000歐姆≤0.3 %
整機測量度:1-100歐(ōu)姆·厘米(mǐ)≤3%
(10)電(diàn)流:220V±10%,50HZ,率(shuài)消(xiāo)耗﹤35W